MOS电容及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210760798.4

申请日：

2022-06-30

公开(公告)号：

CN115084282A

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

康晓旭钟晓兰楚正辉

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2994

IPC分类号：

H01L21329

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

黄海霞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS电容以及其制造方法 [P].

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

颜骥 ;

赵艳黎 ;

高云斌 ;

史晶晶 ;

刘国友 .

中国专利 :CN104659114B ,2015-05-27

[2]

MOS电容的制造方法 [P].

霍彩红 ;

张宏宝 ;

潘宏菽 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN104037062A ,2014-09-10

[3]

MOS电容及其制作方法 [P].

潘宏菽 ;

马杰 .

中国专利 :CN103904137A ,2014-07-02

[4]

电容及其制造方法 [P].

孔蔚然 ;

钱文生 .

中国专利 :CN108878543A ,2018-11-23

[5]

一种降低MOS电容的结构及其制造方法 [P].

王新强 ;

王丕龙 ;

张永利 ;

赵旺 ;

杨玉珍 .

中国专利 :CN113675076A ,2021-11-19

[6]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037240A ,2014-09-10

[7]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037239A ,2014-09-10

[8]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037238A ,2014-09-10

[9]

一种SiC MOS电容及其制造方法 [P].

宋庆文 ;

肖莉 ;

王梁永 ;

贾一凡 ;

王志坚 ;

张玉明 .

中国专利 :CN107863392A ,2018-03-30

[10]

半导体装置、MOS电容器及其制造方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN109148607B ,2019-01-04

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