电容及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810696241.2

申请日：

2018-06-29

公开(公告)号：

CN108878543A

公开(公告)日：

2018-11-23

发明(设计)人：

孔蔚然钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2992

IPC分类号：

H01L21329

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/92 申请日:20180629
2018-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS电容及其制造方法 [P].

康晓旭 ;

钟晓兰 ;

楚正辉 .

中国专利 :CN115084282A ,2022-09-20

[2]

沟槽电容结构及其制造方法 [P].

杨留鹏 ;

谢佳腾 ;

魏来 ;

秦海 ;

于晓东 ;

单夕朝 ;

马樊 ;

张磊 ;

王晓日 ;

王函 .

中国专利 :CN120500055A ,2025-08-15

[3]

电容器及其制造方法 [P].

丁峰 ;

潘冬 ;

刘念 ;

尹祥祥 .

中国专利 :CN118591280B ,2024-12-06

[4]

电容器及其制造方法 [P].

丁峰 ;

潘冬 ;

刘念 ;

尹祥祥 .

中国专利 :CN118591280A ,2024-09-03

[5]

电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法 [P].

林慎一郎 ;

那须彻 .

中国专利 :CN1779976A ,2006-05-31

[6]

集成电路的电容器及其制造方法 [P].

杨富量 ;

郑湘原 ;

何游俊 ;

刘滨 ;

葛兆民 .

中国专利 :CN1048823C ,1997-11-26

[7]

双面电容器及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107393909B ,2017-11-24

[8]

铁电体电容器及其制造方法 [P].

杰弗里·斯科特·克罗斯 ;

冢田峰春 ;

约翰·大卫·巴尼基 ;

野村健二 ;

伊戈尔·斯托里奇诺夫 .

中国专利 :CN1695247A ,2005-11-09

[9]

MIM电容器及其制造方法 [P].

杨鸣鹤 ;

金子貴昭 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN109037445A ,2018-12-18

[10]

MIM电容器及其制造方法 [P].

唐丽贤 ;

包小燕 ;

庄燕萍 ;

霍燕丽 ;

杜海 .

中国专利 :CN104465608A ,2015-03-25

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