沟槽电容结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510498092.9

申请日：

2025-04-18

公开(公告)号：

CN120500055A

公开(公告)日：

2025-08-15

发明(设计)人：

杨留鹏谢佳腾魏来秦海于晓东单夕朝马樊张磊王晓日王函

申请人：

华虹半导体制造（无锡）有限公司华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214111 江苏省无锡市新吴区新洲路30-1号

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

陈钧

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-15	公开	公开
2025-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20250418

共 50 条

[1]

深沟槽电容结构及其制造方法 [P].

遇寒 .

中国专利 :CN119110677A ,2024-12-10

[2]

沟槽电容结构 [P].

林永昌 ;

简山杰 ;

郭建利 ;

李瑞池 .

中国专利 :CN2906929Y ,2007-05-30

[3]

沟槽功率器件结构及其制造方法 [P].

孙效中 .

中国专利 :CN105609554A ,2016-05-25

[4]

深沟槽电容结构及其制造方法 [P].

孙孝翔 ;

刘立成 ;

遇寒 ;

黄景丰 ;

伍熙阳 ;

袁贇 .

中国专利 :CN118973378A ,2024-11-15

[5]

基于沟槽电容的沟槽填充方法及沟槽电容结构 [P].

李苏峰 ;

费孝斌 ;

卢建娅 ;

黄寓洋 .

中国专利 :CN120751709A ,2025-10-03

[6]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN100576491C ,2008-12-24

[7]

浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

刘永 ;

肖德元 .

中国专利 :CN101330035B ,2008-12-24

[8]

沟槽电容结构的制造方法 [P].

杜记龙 .

中国专利 :CN121078965A ,2025-12-05

[9]

一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

王壮壮 ;

杜怡行 ;

杨耀华 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN114267630A ,2022-04-01

[10]

制造沟槽电容结构的方法与电容结构 [P].

郭富强 .

中国专利 :CN114784187A ,2022-07-22

← 1 2 3 4 5 →