制造沟槽电容结构的方法与电容结构

被引：0

申请号：

CN202110893103.5

申请日：

2021-08-04

公开(公告)号：

CN114784187A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

郭富强

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H01L4902

IPC分类号：

H01L27108

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽电容结构的制造方法 [P].

杜记龙 .

中国专利 :CN121078965A ,2025-12-05

[2]

沟槽电容结构及其制造方法 [P].

杨留鹏 ;

谢佳腾 ;

魏来 ;

秦海 ;

于晓东 ;

单夕朝 ;

马樊 ;

张磊 ;

王晓日 ;

王函 .

中国专利 :CN120500055A ,2025-08-15

[3]

沟槽电容结构及沟槽电容结构的制作方法 [P].

费孝斌 ;

黄寓洋 ;

吴海华 .

中国专利 :CN118448399A ,2024-08-06

[4]

沟槽电容结构及沟槽电容结构的制作方法 [P].

费孝斌 ;

黄寓洋 ;

吴海华 .

中国专利 :CN118448399B ,2024-10-18

[5]

沟槽电容结构 [P].

林永昌 ;

简山杰 ;

郭建利 ;

李瑞池 .

中国专利 :CN2906929Y ,2007-05-30

[6]

基于沟槽电容的沟槽填充方法及沟槽电容结构 [P].

李苏峰 ;

费孝斌 ;

卢建娅 ;

黄寓洋 .

中国专利 :CN120751709A ,2025-10-03

[7]

沟槽电容电极结构及沟槽电容 [P].

金山 ;

赵培宜 ;

张千一 ;

黄寓洋 ;

卢建娅 .

中国专利 :CN120730798A ,2025-09-30

[8]

沟槽电容电极结构及沟槽电容 [P].

金山 ;

赵培宜 ;

张千一 ;

朱斌青 ;

赵运好 ;

黄寓洋 ;

卢建娅 .

中国专利 :CN121013392A ,2025-11-25

[9]

沟槽电容电极结构及沟槽电容 [P].

金山 ;

赵培宜 ;

张千一 ;

朱斌青 ;

赵运好 ;

黄寓洋 ;

卢建娅 .

中国专利 :CN121013393A ,2025-11-25

[10]

沟槽电容电极结构及沟槽电容 [P].

金山 ;

赵培宜 ;

张千一 ;

黄寓洋 ;

卢建娅 .

中国专利 :CN120730798B ,2025-11-14

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