氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810151191.6

申请日：

2008-09-28

公开(公告)号：

CN101368263A

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

冯丽萍刘正堂

申请人：

申请人地址：

710072陕西省西安市友谊西路127号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1406 C23C1454 C23C1458

代理机构：

西北工业大学专利中心

代理人：

王鲜凯

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-25	授权	授权
2009-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-11-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101588948407 IPC(主分类):C23C 14/35 专利号:ZL2008101511916 申请日:20080928 授权公告日:20100825 终止日期:20130928
2009-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

尹勇 .

中国专利 :CN110473768A ,2019-11-19

[2]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

林嘉佑 .

中国专利 :CN103334087A ,2013-10-02

[3]

氮化硅薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

魏启鹏 ;

刘通 .

中国专利 :CN108389780A ,2018-08-10

[4]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

李展信 .

中国专利 :CN103924212A ,2014-07-16

[5]

氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法 [P].

孟令款 .

中国专利 :CN103531473A ,2014-01-22

[6]

氮化硅薄膜的沉积方法、氮化硅薄膜及PERC电池 [P].

许烁烁 ;

舒勇东 ;

刘良玉 .

中国专利 :CN109735829A ,2019-05-10

[7]

氮化硅薄膜窗口 [P].

王晟 .

中国专利 :CN204087838U ,2015-01-07

[8]

氮化硅薄膜沉积方法 [P].

俞锦辰 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN119020749A ,2024-11-26

[9]

一种氮化硅薄膜制备方法 [P].

雷通 ;

桑宁波 .

中国专利 :CN104152865A ,2014-11-19

[10]

形成氧化硅和氮化硅复合薄膜的方法 [P].

周洁鹏 ;

宋维聪 .

中国专利 :CN114975113B ,2022-12-13

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