氮化硅烧结基板

被引：0

申请号：

CN202180044279.1

申请日：

2021-06-29

公开(公告)号：

CN115702130A

公开(公告)日：

2023-02-14

发明(设计)人：

满村典平草野大河合秀昭

申请人：

申请人地址：

日本山口县

IPC主分类号：

C04B35587

IPC分类号：

H01L2315 C01B21068 H05K103

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法 [P].

今村寿之 ;

藤田卓 ;

加贺洋一郎 ;

手岛博幸 ;

滨吉繁幸 .

中国专利 :CN108495831B ,2018-09-04

[2]

氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

佐野孝 .

中国专利 :CN112313191B ,2021-02-02

[3]

氮化硅烧结基板的制造方法 [P].

今村寿之 ;

藤田卓 ;

加贺洋一郎 ;

手岛博幸 ;

滨吉繁幸 .

中国专利 :CN114380603B ,2022-04-22

[4]

氮化硅基板和氮化硅基板的制造方法 [P].

加贺洋一郎 .

中国专利 :CN103781742A ,2014-05-07

[5]

氮化硅烧结体、氮化硅基板、氮化硅电路基板及半导体装置 [P].

青木克之 ;

山形荣人 ;

岩井健太郎 ;

深泽孝幸 ;

宝槻直十 .

日本专利 :CN120091984A ,2025-06-03

[6]

氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板 [P].

本田道夫 ;

藤永昌孝 ;

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

山田哲夫 .

中国专利 :CN112912356A ,2021-06-04

[7]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

中国专利 :CN112292912A ,2021-01-29

[8]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN117998732A ,2024-05-07

[9]

氮化硅基板及氮化硅电路基板 [P].

青木克之 ;

深泽孝幸 ;

门马旬 ;

岩井健太郎 .

日本专利 :CN112292912B ,2024-03-08

[10]

氮化硅烧结体 [P].

松本理 ;

高桥光隆 .

日本专利 :CN119968349A ,2025-05-09

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