硅通孔结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210100004.8

申请日：

2012-04-06

公开(公告)号：

CN102623437B

公开(公告)日：

2012-08-01

发明(设计)人：

卢意飞

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-01	公开	公开
2017-05-31	授权	授权
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596325533 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2012101000048 申请日:20120406

共 50 条

[1]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102683308A ,2012-09-19

[2]

穿硅通孔结构及其制造方法 [P].

康庭慈 .

中国专利 :CN111199932B ,2020-05-26

[3]

硅通孔测试结构及测试方法 [P].

冯军宏 ;

甘正浩 .

中国专利 :CN103187399A ,2013-07-03

[4]

硅通孔结构及其制备方法 [P].

胡超 .

中国专利 :CN117374031A ,2024-01-09

[5]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102637656A ,2012-08-15

[6]

硅通孔的制造方法 [P].

郁新举 .

中国专利 :CN112908933A ,2021-06-04

[7]

通孔的制造方法 [P].

叶星 .

中国专利 :CN117954385A ,2024-04-30

[8]

硅通孔结构 [P].

沈哲敏 ;

李广宁 .

中国专利 :CN203895439U ,2014-10-22

[9]

硅通孔结构及其形成方法 [P].

冯凯 ;

刘玮荪 ;

许忠义 ;

黄自强 .

中国专利 :CN105870054A ,2016-08-17

[10]

一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构及其制造方法 [P].

尹湘坤 ;

朱樟明 ;

杨银堂 ;

李跃进 ;

丁瑞雪 .

中国专利 :CN105280617A ,2016-01-27

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