穿硅通孔结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910516758.3

申请日：

2019-06-14

公开(公告)号：

CN111199932B

公开(公告)日：

2020-05-26

发明(设计)人：

康庭慈

申请人：

申请人地址：

中国台湾新北市

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李南山;郑特强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-26	公开	公开
2020-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20190614
2022-03-01	授权	授权

共 50 条

[1]

穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法 [P].

王磊 ;

李恒甫 .

中国专利 :CN103545292A ,2014-01-29

[2]

穿硅通孔制造 [P].

罗伯特·爱德华·西嘉石 ;

索恩·泰·陆 ;

埃利尼塔·马拉斯马斯·占旺萨克 .

中国专利 :CN111933575A ,2020-11-13

[3]

穿硅通孔制造 [P].

罗伯特·爱德华·西嘉石 ;

索恩·泰·陆 ;

埃利尼塔·马拉斯马斯·占旺萨克 .

美国专利 :CN111933575B ,2025-02-14

[4]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102683308A ,2012-09-19

[5]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102637656A ,2012-08-15

[6]

硅通孔结构及其制造方法 [P].

卢意飞 .

中国专利 :CN102623437B ,2012-08-01

[7]

穿硅通孔及其制作方法 [P].

黄琦雯 ;

苏国辉 .

中国专利 :CN103489840A ,2014-01-01

[8]

穿硅通孔结构及其制作方法 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103367280B ,2013-10-23

[9]

一种穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法 [P].

王磊 ;

李恒甫 .

中国专利 :CN103560124A ,2014-02-05

[10]

划线穿硅通孔 [P].

阿尔温德·钱德拉舍卡朗 .

中国专利 :CN102301466A ,2011-12-28

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