一种穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310557215.9

申请日：

2013-11-11

公开(公告)号：

CN103560124A

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

王磊李恒甫

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258

代理人：

任益

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576330249 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2013105572159 申请日:20131111
2014-02-05	公开	公开
2017-10-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760381810 IPC(主分类):H01L 23/522 专利申请号:2013105572159 申请公布日:20140205

共 50 条

[1]

穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法 [P].

王磊 ;

李恒甫 .

中国专利 :CN103545292A ,2014-01-29

[2]

穿硅通孔结构及其制造方法 [P].

康庭慈 .

中国专利 :CN111199932B ,2020-05-26

[3]

穿硅通孔制造 [P].

罗伯特·爱德华·西嘉石 ;

索恩·泰·陆 ;

埃利尼塔·马拉斯马斯·占旺萨克 .

中国专利 :CN111933575A ,2020-11-13

[4]

穿硅通孔制造 [P].

罗伯特·爱德华·西嘉石 ;

索恩·泰·陆 ;

埃利尼塔·马拉斯马斯·占旺萨克 .

美国专利 :CN111933575B ,2025-02-14

[5]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035810B ,2021-06-25

[6]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035809B ,2021-06-25

[7]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102683308A ,2012-09-19

[8]

穿硅通孔结构及其制作方法 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103367280B ,2013-10-23

[9]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102637656A ,2012-08-15

[10]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035811B ,2021-06-25

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