硅通孔结构、封装结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110240264.4

申请日：

2021-03-04

公开(公告)号：

CN113035809B

公开(公告)日：

2021-06-25

发明(设计)人：

陈琳朱宝孙清清张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L2331 H01L2148

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

黄海霞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	授权	授权
2021-06-25	公开	公开
2021-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20210304

共 50 条

[1]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035810B ,2021-06-25

[2]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035811B ,2021-06-25

[3]

穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法 [P].

王磊 ;

李恒甫 .

中国专利 :CN103545292A ,2014-01-29

[4]

封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035797B ,2021-06-25

[5]

硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构 [P].

王庆钧 ;

吴岱原 ;

陈佑升 ;

林哲歆 .

中国专利 :CN101789390A ,2010-07-28

[6]

一种穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法 [P].

王磊 ;

李恒甫 .

中国专利 :CN103560124A ,2014-02-05

[7]

硅通孔封装结构的形成方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103633013A ,2014-03-12

[8]

硅通孔封装结构及形成方法 [P].

甘正浩 ;

陈芳 .

中国专利 :CN103545275A ,2014-01-29

[9]

硅通孔互联结构及其制备方法以及硅通孔射频传输结构 [P].

何舒玮 ;

童伟 ;

陈依军 ;

胡柳林 ;

吕继平 ;

王栋 ;

唐仲俊 .

中国专利 :CN107706173A ,2018-02-16

[10]

硅通孔互联结构以及硅通孔射频传输结构 [P].

何舒玮 ;

童伟 ;

陈依军 ;

胡柳林 ;

吕继平 ;

王栋 ;

唐仲俊 .

中国专利 :CN207474457U ,2018-06-08

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