硅通孔封装结构及形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210241511.3

申请日：

2012-07-12

公开(公告)号：

CN103545275A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

甘正浩陈芳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576166073 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2012102415113 申请日:20120712
2016-02-17	授权	授权
2014-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

硅通孔的形成方法 [P].

沈哲敏 ;

李广宁 .

中国专利 :CN104576508B ,2015-04-29

[2]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035810B ,2021-06-25

[3]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035809B ,2021-06-25

[4]

半导体器件硅通孔的形成方法及半导体器件 [P].

张庆福 ;

袁宇 ;

林宏 .

中国专利 :CN120221503A ,2025-06-27

[5]

封装结构的形成方法 [P].

茅一超 ;

张进传 ;

卢思维 .

中国专利 :CN110783207A ,2020-02-11

[6]

封装结构及其形成方法 [P].

林孟良 ;

蔡柏豪 ;

庄博尧 ;

吴逸文 ;

翁得期 ;

郑心圃 .

中国专利 :CN112670195B ,2025-06-13

[7]

封装结构及其形成方法 [P].

林孟良 ;

蔡柏豪 ;

庄博尧 ;

吴逸文 ;

翁得期 ;

郑心圃 .

中国专利 :CN112670195A ,2021-04-16

[8]

具有衬底通孔结构的器件及其形成方法 [P].

林咏淇 ;

陈彦宏 ;

陈盈桦 ;

廖鄂斌 ;

杨固峰 ;

吴仓聚 ;

邱文智 .

中国专利 :CN104425451A ,2015-03-18

[9]

具有衬底通孔结构的器件及其形成方法 [P].

林咏淇 ;

陈彦宏 ;

陈盈桦 ;

廖鄂斌 ;

杨固峰 ;

吴仓聚 ;

邱文智 .

中国专利 :CN110120372A ,2019-08-13

[10]

接触孔结构的形成方法及该接触孔结构 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN110690166B ,2020-01-14

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