接触孔结构的形成方法及该接触孔结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911053373.4

申请日：

2019-10-31

公开(公告)号：

CN110690166B

公开(公告)日：

2020-01-14

发明(设计)人：

鲍宇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522 H01L23532

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	授权	授权
2020-01-14	公开	公开
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20191031

共 50 条

[1]

接触孔结构的形成方法及该接触孔结构 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN110752183A ,2020-02-04

[2]

接触孔的形成方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN106653680A ,2017-05-10

[3]

接触孔的形成方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN106611742A ,2017-05-03

[4]

形成接触孔的方法 [P].

叶芳裕 ;

陈俊哲 ;

董明圣 .

中国专利 :CN1485887A ,2004-03-31

[5]

高深宽比接触孔的形成方法 [P].

赵哲 .

中国专利 :CN112885774B ,2021-06-01

[6]

接触结构及其形成方法 [P].

林瑀宏 ;

傅美惠 ;

林圣轩 .

中国专利 :CN112530904A ,2021-03-19

[7]

接触结构及其形成方法 [P].

林瑀宏 ;

傅美惠 ;

林圣轩 .

中国专利 :CN106158822A ,2016-11-23

[8]

接触结构及其形成方法 [P].

林瑀宏 ;

林圣轩 ;

张志维 ;

周友华 ;

许嘉麟 .

中国专利 :CN105304556A ,2016-02-03

[9]

接触孔的制作方法和结构 [P].

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN113782491A ,2021-12-10

[10]

一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置 [P].

黄鑫 ;

王士欣 .

中国专利 :CN115700902A ,2023-02-07

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