一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置

被引：0

申请号：

CN202110824913.5

申请日：

2021-07-21

公开(公告)号：

CN115700902A

公开(公告)日：

2023-02-07

发明(设计)人：

黄鑫王士欣

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2348 H10B1200

代理机构：

北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489

代理人：

郑久兴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置 [P].

黄鑫 ;

王士欣 .

中国专利 :CN115700902B ,2025-09-26

[2]

位线接触结构的形成方法及半导体结构 [P].

石夏雨 .

中国专利 :CN114725103B ,2024-05-17

[3]

位线接触结构的形成方法及半导体结构 [P].

石夏雨 .

中国专利 :CN114725103A ,2022-07-08

[4]

接触孔的形成方法及半导体结构 [P].

祝君龙 ;

王建智 ;

曹平 .

中国专利 :CN117276202B ,2024-02-20

[5]

接触孔的形成方法、半导体结构 [P].

任小兵 ;

许忠能 ;

薛浩 ;

王吉伟 .

中国专利 :CN102263055A ,2011-11-30

[6]

半导体结构及其形成方法和接触结构 [P].

文克刚 ;

吴于贝 ;

陈鑫封 ;

萧琮介 ;

邱志斌 ;

王良玮 .

中国专利 :CN119833511A ,2025-04-15

[7]

存储节点接触结构的形成方法及半导体结构 [P].

平尔萱 ;

周震 ;

张令国 ;

白卫平 .

中国专利 :CN114695266A ,2022-07-01

[8]

存储节点接触结构的形成方法及半导体结构 [P].

平尔萱 ;

周震 ;

张令国 ;

白卫平 .

中国专利 :CN114695267A ,2022-07-01

[9]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

舒月姣 ;

蔡明蒲 .

中国专利 :CN114188284A ,2022-03-15

[10]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

胡敏锐 ;

吴楠 ;

郑玉宏 ;

黎冠杰 ;

蒋懿 .

中国专利 :CN120730730A ,2025-09-30

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