具有衬底通孔结构的器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310603941.X

申请日：

2013-11-22

公开(公告)号：

CN104425451A

公开(公告)日：

2015-03-18

发明(设计)人：

林咏淇陈彦宏陈盈桦廖鄂斌杨固峰吴仓聚邱文智

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101605749965 IPC(主分类):H01L 23/528 专利申请号:201310603941X 申请日:20131122
2015-03-18	公开	公开
2019-11-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 23/528 申请公布日:20150318

共 50 条

[1]

具有衬底通孔结构的器件及其形成方法 [P].

林咏淇 ;

陈彦宏 ;

陈盈桦 ;

廖鄂斌 ;

杨固峰 ;

吴仓聚 ;

邱文智 .

中国专利 :CN110120372A ,2019-08-13

[2]

衬底通孔及其形成方法 [P].

陈明发 ;

王宇洋 ;

詹森博 .

中国专利 :CN103378033A ,2013-10-30

[3]

半导体结构及其形成方法和形成衬底通孔的方法 [P].

许琍雯 ;

王良玮 ;

邱志斌 ;

陈殿豪 .

中国专利 :CN118315332A ,2024-07-09

[4]

硅通孔结构及其形成方法 [P].

冯凯 ;

刘玮荪 ;

许忠义 ;

黄自强 .

中国专利 :CN105870054A ,2016-08-17

[5]

硅通孔的形成方法 [P].

沈哲敏 ;

李广宁 .

中国专利 :CN104576508B ,2015-04-29

[6]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102683308A ,2012-09-19

[7]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102637656A ,2012-08-15

[8]

具有贯穿衬底通孔的半导体器件及其制造方法 [P].

维克托·西多罗夫 ;

斯蒂芬·杰森尼戈 ;

乔治·帕特德尔 .

中国专利 :CN112005365A ,2020-11-27

[9]

半导体器件、半导体器件的衬底结构及其形成方法 [P].

M·艾昂 ;

王新琳 ;

杨敏 .

中国专利 :CN100536144C ,2007-10-31

[10]

通孔的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

王新鹏 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN102270600A ,2011-12-07

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