衬底通孔及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210558295.5

申请日：

2012-12-13

公开(公告)号：

CN103378033A

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

陈明发王宇洋詹森博

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545323087 IPC(主分类):H01L 23/48 专利申请号:2012105582955 申请日:20121213
2016-01-20	授权	授权
2013-10-30	公开	公开

共 50 条

[1]

具有衬底通孔结构的器件及其形成方法 [P].

林咏淇 ;

陈彦宏 ;

陈盈桦 ;

廖鄂斌 ;

杨固峰 ;

吴仓聚 ;

邱文智 .

中国专利 :CN104425451A ,2015-03-18

[2]

具有衬底通孔结构的器件及其形成方法 [P].

林咏淇 ;

陈彦宏 ;

陈盈桦 ;

廖鄂斌 ;

杨固峰 ;

吴仓聚 ;

邱文智 .

中国专利 :CN110120372A ,2019-08-13

[3]

硅通孔及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN104078414A ,2014-10-01

[4]

硅通孔及其形成方法 [P].

郭亮良 ;

黄河 ;

骆凯玲 .

中国专利 :CN104425449A ,2015-03-18

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

布兰卡·玛佳丽·科佩 ;

王佳敏 ;

阿什瓦蒂·艾耶 ;

克里斯·刘 .

中国专利 :CN113497153A ,2021-10-12

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

蔡尚崎 ;

郭康民 .

中国专利 :CN106856209A ,2017-06-16

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

布兰卡·玛佳丽·科佩 ;

王佳敏 ;

阿什瓦蒂·艾耶 ;

克里斯·刘 .

中国专利 :CN113497153B ,2024-08-13

[8]

通孔形成方法 [P].

吴佳蒙 ;

史波 ;

肖婷 ;

敖利波 .

中国专利 :CN112701080A ,2021-04-23

[9]

硅通孔结构及其形成方法 [P].

冯凯 ;

刘玮荪 ;

许忠义 ;

黄自强 .

中国专利 :CN105870054A ,2016-08-17

[10]

ONO堆叠形成方法 [P].

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN106471615B ,2017-03-01

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