硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910002977.6

申请日：

2009-01-23

公开(公告)号：

CN101789390A

公开(公告)日：

2010-07-28

发明(设计)人：

王庆钧吴岱原陈佑升林哲歆

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23535

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-28	公开	公开
2012-05-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101353738475 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009100029776 公开日:20100728
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006039458 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2009100029776 申请日:20090123

共 50 条

[1]

硅通孔结构 [P].

甘正浩 .

中国专利 :CN203812874U ,2014-09-03

[2]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035811B ,2021-06-25

[3]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035810B ,2021-06-25

[4]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035809B ,2021-06-25

[5]

同轴硅通孔 [P].

R.P.沃兰特 ;

M.G.法鲁克 ;

P.F.芬德伊斯 ;

K.S.佩特拉卡 .

中国专利 :CN102598245A ,2012-07-18

[6]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

刘翔宇 .

中国专利 :CN103390581A ,2013-11-13

[7]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

栗山宏一 ;

刘身健 .

中国专利 :CN103413779B ,2013-11-27

[8]

硅通孔互联结构以及硅通孔射频传输结构 [P].

何舒玮 ;

童伟 ;

陈依军 ;

胡柳林 ;

吕继平 ;

王栋 ;

唐仲俊 .

中国专利 :CN207474457U ,2018-06-08

[9]

硅通孔填充的方法 [P].

成鑫华 ;

程晓华 ;

高杏 .

中国专利 :CN104347490A ,2015-02-11

[10]

穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法 [P].

王磊 ;

李恒甫 .

中国专利 :CN103545292A ,2014-01-29

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