硅通孔刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310321218.2

申请日：

2013-07-26

公开(公告)号：

CN103390581A

公开(公告)日：

2013-11-13

发明(设计)人：

严利均黄秋平刘翔宇

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101734415733 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013103212182 申请公布日:20131113
2013-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101550523871 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013103212182 申请日:20130726
2013-11-13	公开	公开

共 50 条

[1]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637867A ,2015-05-20

[2]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637866B ,2015-05-20

[3]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

栗山宏一 ;

刘身健 .

中国专利 :CN103413779B ,2013-11-27

[4]

刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置 [P].

李俊良 ;

倪图强 .

中国专利 :CN106298498A ,2017-01-04

[5]

一种硅通孔刻蚀方法 [P].

廖广兰 ;

高阳 ;

史铁林 ;

谭先华 ;

李晓平 ;

卓锐 .

中国专利 :CN102431960A ,2012-05-02

[6]

一种硅通孔刻蚀方法 [P].

罗伟义 ;

刘身健 ;

刘晓波 ;

黄智林 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104752331B ,2015-07-01

[7]

一种形成硅通孔的刻蚀方法 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

王昕 ;

许竞翔 .

中国专利 :CN119050052B ,2025-02-25

[8]

一种形成硅通孔的刻蚀方法 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

王昕 ;

许竞翔 .

中国专利 :CN119050052A ,2024-11-29

[9]

一种硅通孔刻蚀参数确定方法、硅通孔形成方法和刻蚀设备 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

王昕 ;

仲凯 .

中国专利 :CN118712054B ,2024-12-27

[10]

一种硅通孔刻蚀参数确定方法、硅通孔形成方法和刻蚀设备 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

王昕 ;

仲凯 .

中国专利 :CN118712054A ,2024-09-27

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