一种形成硅通孔的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411534772.3

申请日：

2024-10-31

公开(公告)号：

CN119050052A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

胥沛雯王士京王兆祥梁洁王昕许竞翔

申请人：

上海邦芯半导体科技有限公司

申请人地址：

201413 上海市奉贤区平霄路358号7号厂房、9号厂房

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/3065

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

刘逸卿

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	授权	授权
2024-11-29	公开	公开
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20241031

共 50 条

[1]

一种形成硅通孔的刻蚀方法 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

王昕 ;

许竞翔 .

中国专利 :CN119050052B ,2025-02-25

[2]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

刘翔宇 .

中国专利 :CN103390581A ,2013-11-13

[3]

一种刻蚀硅通孔的方法 [P].

余东洋 ;

卞祖洋 ;

严利均 .

中国专利 :CN104576506A ,2015-04-29

[4]

硅通孔的刻蚀方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103050434A ,2013-04-17

[5]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637867A ,2015-05-20

[6]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637866B ,2015-05-20

[7]

一种深硅通孔的刻蚀方法 [P].

崔在雄 ;

凯文·皮尔斯 ;

吴万俊 ;

严利均 ;

雷本亮 .

中国专利 :CN102031525A ,2011-04-27

[8]

一种深硅通孔的刻蚀方法 [P].

严利均 ;

倪图强 .

中国专利 :CN103824767B ,2014-05-28

[9]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103811408B ,2014-05-21

[10]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103730411A ,2014-04-16

← 1 2 3 4 5 →