刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510318240.0

申请日：

2015-06-11

公开(公告)号：

CN106298498A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

李俊良倪图强

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249

代理人：

徐雯琼;张静洁

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/3065 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2017-01-04	公开	公开
2018-12-25	授权	授权
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700833060 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2015103182400 申请日:20150611

共 50 条

[1]

刻蚀形成硅通孔的方法 [P].

李俊良 ;

倪图强 .

中国专利 :CN106298638B ,2017-01-04

[2]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

栗山宏一 ;

刘身健 .

中国专利 :CN103413779B ,2013-11-27

[3]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637867A ,2015-05-20

[4]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637866B ,2015-05-20

[5]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

刘翔宇 .

中国专利 :CN103390581A ,2013-11-13

[6]

一种硅通孔刻蚀方法 [P].

罗伟义 ;

刘身健 ;

刘晓波 ;

黄智林 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104752331B ,2015-07-01

[7]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103730411A ,2014-04-16

[8]

一种硅通孔刻蚀参数确定方法、硅通孔形成方法和刻蚀设备 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

王昕 ;

仲凯 .

中国专利 :CN118712054B ,2024-12-27

[9]

一种硅通孔刻蚀参数确定方法、硅通孔形成方法和刻蚀设备 [P].

胥沛雯 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

王昕 ;

仲凯 .

中国专利 :CN118712054A ,2024-09-27

[10]

一种硅通孔刻蚀方法 [P].

廖广兰 ;

高阳 ;

史铁林 ;

谭先华 ;

李晓平 ;

卓锐 .

中国专利 :CN102431960A ,2012-05-02

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