一种硅通孔刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310753493.1

申请日：

2013-12-31

公开(公告)号：

CN104752331B

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

罗伟义刘身健刘晓波黄智林倪图强

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01J3732

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

王洁

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618659266 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013107534931 申请日:20131231
2015-07-01	公开	公开

共 50 条

[1]

刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置 [P].

李俊良 ;

倪图强 .

中国专利 :CN106298498A ,2017-01-04

[2]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103811408B ,2014-05-21

[3]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103730411A ,2014-04-16

[4]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637867A ,2015-05-20

[5]

硅通孔刻蚀方法 [P].

尹志尧 ;

许颂临 ;

倪图强 .

中国专利 :CN104637866B ,2015-05-20

[6]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

栗山宏一 ;

刘身健 .

中国专利 :CN103413779B ,2013-11-27

[7]

硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

刘翔宇 .

中国专利 :CN103390581A ,2013-11-13

[8]

一种单层硅衬底的通孔刻蚀方法 [P].

梁德春 ;

刘福民 ;

杨静 ;

崔尉 ;

邱飞燕 ;

吴浩越 .

中国专利 :CN110190025B ,2019-08-30

[9]

一种硅通孔刻蚀装置 [P].

倪图强 ;

李俊良 .

中国专利 :CN104752266A ,2015-07-01

[10]

一种深硅通孔刻蚀装置及其刻蚀方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 ;

严利均 ;

辛朝焕 .

中国专利 :CN103745945B ,2014-04-23

← 1 2 3 4 5 →