硅通孔互联结构及其制备方法以及硅通孔射频传输结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710938205.8

申请日：

2017-09-30

公开(公告)号：

CN107706173A

公开(公告)日：

2018-02-16

发明(设计)人：

何舒玮童伟陈依军胡柳林吕继平王栋唐仲俊

申请人：

申请人地址：

610016 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区物联网产业园

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L23552 H01L2366 H01L21768

代理机构：

成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229

代理人：

李林合

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20170930
2018-02-16	公开	公开

共 50 条

[1]

硅通孔互联结构以及硅通孔射频传输结构 [P].

何舒玮 ;

童伟 ;

陈依军 ;

胡柳林 ;

吕继平 ;

王栋 ;

唐仲俊 .

中国专利 :CN207474457U ,2018-06-08

[2]

硅导通孔的制造方法与硅导通孔结构 [P].

王庆钧 ;

吴岱原 ;

陈佑升 ;

林哲歆 .

中国专利 :CN101789390A ,2010-07-28

[3]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035811B ,2021-06-25

[4]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035810B ,2021-06-25

[5]

硅通孔结构、封装结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113035809B ,2021-06-25

[6]

一种硅通孔结构及其制备方法 [P].

蔡坚 ;

李金睿 ;

谭琳 ;

王谦 ;

陈瑜 ;

王水弟 .

中国专利 :CN102938396B ,2013-02-20

[7]

一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构 [P].

王韬 ;

费井汉 ;

张万里 .

中国专利 :CN113097183B ,2024-02-09

[8]

一种基于硅通孔的射频垂直互连传输结构 [P].

王韬 ;

费井汉 ;

张万里 .

中国专利 :CN113097183A ,2021-07-09

[9]

穿硅通孔（TSV）结构及其制造方法 [P].

王磊 ;

李恒甫 .

中国专利 :CN103545292A ,2014-01-29

[10]

一种倒金字塔型硅通孔垂直互联结构及制备方法 [P].

曾鸿江 .

中国专利 :CN110379766A ,2019-10-25

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