穿硅通孔制造

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010170957.6
申请日
2020-03-12
公开(公告)号
CN111933575B
公开(公告)日
2025-02-14
发明(设计)人
罗伯特·爱德华·西嘉石 索恩·泰·陆 埃利尼塔·马拉斯马斯·占旺萨克
申请人
霍尼韦尔国际公司
申请人地址
美国新泽西州
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
H01L23/48
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
刘桢;刘茜
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
穿硅通孔制造 [P]. 
罗伯特·爱德华·西嘉石 ;
索恩·泰·陆 ;
埃利尼塔·马拉斯马斯·占旺萨克 .
中国专利 :CN111933575A ,2020-11-13
[2]
穿硅通孔结构及其制造方法 [P]. 
康庭慈 .
中国专利 :CN111199932B ,2020-05-26
[3]
划线穿硅通孔 [P]. 
阿尔温德·钱德拉舍卡朗 .
中国专利 :CN102301466A ,2011-12-28
[4]
穿硅通孔(TSV)结构及其制造方法 [P]. 
王磊 ;
李恒甫 .
中国专利 :CN103545292A ,2014-01-29
[5]
穿硅通孔填充工艺 [P]. 
乔纳森·D·里德 ;
凯蒂·昆·王 ;
马克·J·威利 .
中国专利 :CN102124551A ,2011-07-13
[6]
穿硅通孔填充工艺 [P]. 
乔纳森·D·里德 ;
凯蒂·昆·王 ;
马克·J·威利 .
中国专利 :CN105845558B ,2016-08-10
[7]
制作穿硅通孔的方法 [P]. 
陈逸男 ;
徐文吉 ;
叶绍文 ;
刘献文 .
中国专利 :CN103377994A ,2013-10-30
[8]
显露穿硅通孔的方法 [P]. 
陈逸男 ;
徐文吉 ;
叶绍文 ;
刘献文 .
中国专利 :CN103367241B ,2013-10-23
[9]
显露穿硅通孔的方法 [P]. 
陈逸男 ;
徐文吉 ;
叶绍文 ;
刘献文 .
中国专利 :CN103367239A ,2013-10-23
[10]
显露穿硅通孔的方法 [P]. 
陈逸男 ;
徐文吉 ;
叶绍文 ;
刘献文 .
中国专利 :CN103367236A ,2013-10-23