环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510113902.0

申请日：

2015-03-16

公开(公告)号：

CN104767120A

公开(公告)日：

2015-07-08

发明(设计)人：

晏长岭李鹏史建伟冯源郝永芹徐莉李雨霏郭运峰

申请人：

申请人地址：

130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号

IPC主分类号：

H01S5183

IPC分类号：

代理机构：

长春菁华专利商标代理事务所 22210

代理人：

陶尊新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619257796 IPC(主分类):H01S 5/183 专利申请号:2015101139020 申请日:20150316
2018-03-20	授权	授权
2015-07-08	公开	公开

共 50 条

[1]

环形结构下分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器 [P].

晏长岭 ;

杨静航 ;

逄超 ;

冯源 ;

郝永芹 ;

张剑家 .

中国专利 :CN110829178B ,2020-02-21

[2]

非对称环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器 [P].

晏长岭 ;

杨静航 ;

逄超 ;

冯源 ;

郝永芹 ;

张剑家 .

中国专利 :CN111129952B ,2020-05-08

[3]

制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器 [P].

赵勇明 ;

杨国文 ;

张艳春 ;

赵卫东 .

中国专利 :CN110190513A ,2019-08-30

[4]

介质分布布拉格反射镜腔面发射微腔激光器 [P].

宁永强 ;

刘云 ;

刘星元 ;

王立军 ;

武胜利 ;

吴东江 ;

赵家民 ;

潘玉寨 ;

索辉 ;

曹昌盛 .

中国专利 :CN2422762Y ,2001-03-07

[5]

垂直腔面发射半导体激光器结构 [P].

廖文渊 ;

谭满清 ;

韦欣 ;

郭文涛 .

中国专利 :CN111435781B ,2020-07-21

[6]

垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法 [P].

赵英杰 ;

钟景昌 ;

晏长岭 ;

李林 ;

郝永芹 ;

李轶华 ;

苏伟 ;

姜晓光 .

中国专利 :CN1560969A ,2005-01-05

[7]

能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器 [P].

晏长岭 ;

刘云 ;

冯源 ;

杨静航 ;

逄超 .

中国专利 :CN109412016A ,2019-03-01

[8]

上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器 [P].

晏长岭 ;

逄超 ;

杨静航 ;

冯源 ;

郝永芹 ;

张剑家 .

中国专利 :CN111370994B ,2020-07-03

[9]

一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器 [P].

赵勇明 ;

杨国文 ;

张艳春 ;

赵卫东 .

中国专利 :CN110165550A ,2019-08-23

[10]

垂直腔面发射半导体激光器 [P].

宁永强 ;

李秀山 ;

王立军 ;

贾鹏 ;

刘云 ;

秦莉 ;

张星 .

中国专利 :CN104300364B ,2015-01-21

← 1 2 3 4 5 →