高频放大电路及半导体设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910115753.X

申请日：

2019-02-15

公开(公告)号：

CN110661494A

公开(公告)日：

2020-01-07

发明(设计)人：

濑下敏树栗山保彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H03F132

IPC分类号：

H03F3193

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 1/32 申请日:20190215
2020-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

高频放大电路及半导体装置 [P].

濑下敏树 ;

栗山保彦 .

中国专利 :CN111416584A ,2020-07-14

[2]

高频放大电路及半导体装置 [P].

濑下敏树 ;

栗山保彦 .

中国专利 :CN111541428A ,2020-08-14

[3]

高频放大电路以及半导体装置 [P].

濑下敏树 ;

栗山保彦 .

日本专利 :CN110661497B ,2024-03-22

[4]

高频放大电路以及半导体装置 [P].

濑下敏树 ;

栗山保彦 .

中国专利 :CN110661497A ,2020-01-07

[5]

高频放大电路及半导体装置 [P].

濑下敏树 ;

栗山保彦 .

中国专利 :CN111541426A ,2020-08-14

[6]

半导体放大电路以及半导体电路 [P].

小仓晓生 .

中国专利 :CN112350676A ,2021-02-09

[7]

半导体放大电路以及半导体电路 [P].

小仓晓生 .

日本专利 :CN112350676B ,2024-10-11

[8]

半导体放大电路 [P].

大矢章雄 .

日本专利 :CN118783903A ,2024-10-15

[9]

包括高频放大电路的半导体装置、电子构件以及电子设备 [P].

国武宽司 ;

池田隆之 ;

加藤清 ;

柳泽悠一 ;

水上翔太 ;

津田一树 .

中国专利 :CN114008778A ,2022-02-01

[10]

半导体电路和放大电路 [P].

西泽雄树 .

中国专利 :CN104953968B ,2015-09-30

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