具有金属反射层的发光二极管封装及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610092282.8

申请日：

2006-06-16

公开(公告)号：

CN1885580A

公开(公告)日：

2006-12-27

发明(设计)人：

朴正圭李善九韩庚泽韩盛渊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞314

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L23498 H01L2331 H01L2150 H01L2156 H01L2160

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

韩明星;邱玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-10-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101033984868 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006100922828 变更事项:专利权人变更前权利人:三星电机株式会社变更后权利人:三星LED株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞314 变更后权利人:韩国京畿道水原市登记生效日:20100909
2008-12-17	授权	授权
2013-01-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101495594477 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2006100922828 变更事项:专利权人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121214
2006-12-27	公开	公开

共 50 条

[1]

具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装 [P].

罗尚·穆尔蒂 ;

肯尼·M·戴维斯 ;

杰-永·帕克 ;

史小萌 .

中国专利 :CN112189256A ,2021-01-05

[2]

具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装 [P].

罗尚·穆尔蒂 ;

肯尼·M·戴维斯 ;

杰-永·帕克 ;

史小萌 .

美国专利 :CN118198239A ,2024-06-14

[3]

具有多个发光二极管芯片的发光二极管封装结构 [P].

彭泽厚 ;

刘宇光 ;

钟振宇 ;

罗伯特·戴维·施密特 ;

盛举作 .

美国专利 :CN120917908A ,2025-11-07

[4]

具有单独可控发光二极管芯片的发光二极管封装 [P].

罗尚·穆尔蒂 ;

肯尼·M·戴维斯 ;

杰-永·帕克 ;

史小萌 .

美国专利 :CN112189256B ,2024-04-05

[5]

发光二极管封装结构及其制造方法 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN103325934A ,2013-09-25

[6]

发光二极管封装件及其制造方法 [P].

韩庚泽 ;

吕寅泰 ;

咸宪柱 ;

宋昌虎 ;

韩盛渊 ;

罗允晟 ;

金大渊 ;

安皓植 ;

朴英衫 .

中国专利 :CN101060157A ,2007-10-24

[7]

具有漫射体的发光二极管封装件及其制造方法 [P].

韩盛渊 ;

李善九 ;

宋昌虎 ;

杜正圭 ;

朴英衫 ;

韩庚泽 .

中国专利 :CN1905227A ,2007-01-31

[8]

发光二极管封装及其制造方法 [P].

赖国瑞 ;

杨国玺 ;

何恭琦 ;

蔡慧珍 ;

王文娟 .

中国专利 :CN101030572A ,2007-09-05

[9]

发光二极管封装及其制造方法 [P].

姜信浩 ;

金泰勋 ;

张丞镐 ;

韩京甫 ;

崔财溶 .

中国专利 :CN102104108B ,2011-06-22

[10]

发光二极管封装及其制造方法 [P].

赖国瑞 ;

何恭琦 ;

蔡慧珍 ;

黄柏凯 ;

赖明兴 .

中国专利 :CN101752352A ,2010-06-23

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