二萘嵌苯二酰亚胺衍生物作为空气稳定的n-沟道有机半导体的用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780036571.9

申请日：

2007-08-10

公开(公告)号：

CN101523630A

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

M·克内曼 P·埃尔克 M·高梅 Z·包 M-M·凌

申请人：

申请人地址：

德国路德维希港

IPC主分类号：

H01L5100

IPC分类号：

H01L2728

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

刘金辉;林柏楠

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101085551557 IPC(主分类):H01L 51/00 专利申请号:2007800365719 公开日:20090902
2009-09-02	公开	公开
2009-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

作为有机半导体的氮杂二萘嵌苯 [P].

F·比尼沃尔德 ;

B·施米德哈尔特 ;

U·贝伦斯 ;

H·J·柯纳 .

中国专利 :CN101176217B ,2008-05-07

[2]

萘二酰亚胺的甲锡烷基衍生物与萘嵌苯的反应产物 [P].

王朝晖 ;

岳晚 .

中国专利 :CN103172632B ,2013-06-26

[3]

π扩展萘二酰亚胺的制备及其作为半导体的用途 [P].

T·格斯纳 ;

S-L·苏拉鲁 ;

F·维特纳 .

中国专利 :CN105143231A ,2015-12-09

[4]

用于光电器件的二萘嵌苯四羧酰亚胺衍生物 [P].

U.C.尹 ;

M.H.铉 ;

H-S.金 ;

S-J.文 ;

W.S.申 ;

Y.I.金 ;

O-S.曾 .

中国专利 :CN102112470B ,2011-06-29

[5]

氰硫基或异氰硫基取代的萘二酰亚胺和萘嵌苯二酰亚胺化合物及其作为N-型半导体的用途 [P].

T·格斯纳 ;

H·赖歇尔特 ;

N·兰格尔 ;

A·施温德 .

中国专利 :CN103415517B ,2013-11-27

[6]

含硼的二萘嵌苯单酰亚胺、其生产方法、其作为生产二萘嵌苯单酰亚胺衍生物的结构单元的用途、单酰亚胺衍生物及其在染料敏化太阳能电池中的用途 [P].

H·沃内博格 ;

I·布鲁德 ;

R·森德 ;

G·巴塔格利亚林 ;

C·李 ;

K·米伦 .

中国专利 :CN104520276A ,2015-04-15

[7]

取代的二酰亚胺衍生物 [P].

H·-J·里贝尔 ;

S·赫尔曼恩 ;

A·肯塞 ;

E·－R·格辛格 ;

K·卡特 ;

S·勒赫 ;

W·安德斯奇 ;

M·W·德雷维斯 ;

D·福奇特 ;

A·哈德 .

中国专利 :CN1420863A ,2003-05-28

[8]

含有斜线型萘二酰亚胺单元的n-型有机半导体材料 [P].

郑庆东 ;

陈善慈 .

中国专利 :CN102516248A ,2012-06-27

[9]

作为有机半导体的萘-二酰亚胺-杂环-萘二酰亚胺低聚物以及自其产生的晶体管 [P].

L.E.波兰德 ;

S.P.蒂瓦里 ;

S.马德 ;

B.基佩伦 ;

R.R.达萨里 ;

Y.A.格特马內科 ;

D.K.黃 ;

M.费诺尔 .

中国专利 :CN103889985A ,2014-06-25

[10]

N‑氟烷基取代的二溴萘二酰亚胺及其用作半导体的用途 [P].

T·格斯纳 ;

D·克尔布莱因 ;

J·布里尔 ;

T·穆西奥尔 ;

F·维特内尔 ;

S-L·苏拉鲁 ;

M·施托尔特 .

中国专利 :CN106459748A ,2017-02-22

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