作为有机半导体的萘-二酰亚胺-杂环-萘二酰亚胺低聚物以及自其产生的晶体管

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专利类型
发明
申请号
CN201280029371.1
申请日
2012-04-13
公开(公告)号
CN103889985A
公开(公告)日
2014-06-25
发明(设计)人
L.E.波兰德 S.P.蒂瓦里 S.马德 B.基佩伦 R.R.达萨里 Y.A.格特马內科 D.K.黃 M.费诺尔
申请人
申请人地址
美国乔治亚州
IPC主分类号
C07D47106
IPC分类号
C07D51900
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
徐厚才;林森
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
π扩展萘二酰亚胺的制备及其作为半导体的用途 [P]. 
T·格斯纳 ;
S-L·苏拉鲁 ;
F·维特纳 .
中国专利 :CN105143231A ,2015-12-09
[2]
用于薄膜晶体管的四羧酸二酰亚胺半导体 [P]. 
D·舒克拉 ;
T·R·韦尔特 ;
W·G·埃亨 .
中国专利 :CN101849300B ,2010-09-29
[3]
取代的萘二酰亚胺及其用途 [P]. 
斯蒂芬·内德尔 ;
理查德·安吉尔 ;
萨利·奥克森福德 .
中国专利 :CN114026089A ,2022-02-08
[4]
取代的萘二酰亚胺及其用途 [P]. 
斯蒂芬·内德尔 ;
理查德·安吉尔 ;
萨利·奥克森福德 .
英国专利 :CN114026089B ,2025-05-13
[5]
含有斜线型萘二酰亚胺单元的n-型有机半导体材料 [P]. 
郑庆东 ;
陈善慈 .
中国专利 :CN102516248A ,2012-06-27
[6]
取代的萘二酰亚胺类及其用途 [P]. 
斯蒂芬·奈德尔 ;
基亚拉·马彻蒂 ;
斯蒂芬·亚历山大·奥姆马克 .
中国专利 :CN108779112A ,2018-11-09
[7]
氰硫基或异氰硫基取代的萘二酰亚胺和萘嵌苯二酰亚胺化合物及其作为N-型半导体的用途 [P]. 
T·格斯纳 ;
H·赖歇尔特 ;
N·兰格尔 ;
A·施温德 .
中国专利 :CN103415517B ,2013-11-27
[8]
N‑氟烷基取代的二溴萘二酰亚胺及其用作半导体的用途 [P]. 
T·格斯纳 ;
D·克尔布莱因 ;
J·布里尔 ;
T·穆西奥尔 ;
F·维特内尔 ;
S-L·苏拉鲁 ;
M·施托尔特 .
中国专利 :CN106459748A ,2017-02-22
[9]
二萘嵌苯二酰亚胺衍生物作为空气稳定的n-沟道有机半导体的用途 [P]. 
M·克内曼 ;
P·埃尔克 ;
M·高梅 ;
Z·包 ;
M-M·凌 .
中国专利 :CN101523630A ,2009-09-02
[10]
二酰亚胺连接的马来酰亚胺和聚马来酰亚胺化合物 [P]. 
F·G·米索里 ;
S·M·德尔舍恩 .
中国专利 :CN1784457B ,2006-06-07