半导体发光装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980106419.2
申请日
2009-03-16
公开(公告)号
CN101960619A
公开(公告)日
2011-01-26
发明(设计)人
永井秀男 上野康晴
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
李娜;王忠忠
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光装置 [P]. 
新野和香子 ;
粂井正美 ;
上川俊美 ;
戎谷崇 .
中国专利 :CN101364629A ,2009-02-11
[2]
半导体发光装置 [P]. 
安食秀一 ;
川上康之 ;
赤木努 ;
原田光范 .
中国专利 :CN101325195B ,2008-12-17
[3]
半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P]. 
村本卫司 ;
布上真也 ;
冈俊行 .
中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18
[4]
半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置 [P]. 
张汝志 .
中国专利 :CN207038550U ,2018-02-23
[5]
半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置 [P]. 
张汝志 .
中国专利 :CN107195756A ,2017-09-22
[6]
半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法 [P]. 
龟井英德 .
中国专利 :CN101569024B ,2009-10-28
[7]
半导体发光器件及使用它的半导体发光装置 [P]. 
堀笃宽 ;
龟井英德 ;
前田修作 .
中国专利 :CN101828277B ,2010-09-08
[8]
半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法 [P]. 
龟井英德 .
中国专利 :CN101821867A ,2010-09-01
[9]
半导体发光器件 [P]. 
上田孝史 .
中国专利 :CN1384981A ,2002-12-11
[10]
半导体发光器件及面发光装置 [P]. 
根井正美 .
中国专利 :CN1364319A ,2002-08-14