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半导体发光装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200980106419.2
申请日
:
2009-03-16
公开(公告)号
:
CN101960619A
公开(公告)日
:
2011-01-26
发明(设计)人
:
永井秀男
上野康晴
申请人
:
申请人地址
:
日本大阪府
IPC主分类号
:
H01L3300
IPC分类号
:
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
李娜;王忠忠
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-06-26
授权
授权
2011-03-23
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101058487906 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801064192 申请日:20090316
2011-01-26
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体发光装置
[P].
新野和香子
论文数:
0
引用数:
0
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0
新野和香子
;
粂井正美
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粂井正美
;
上川俊美
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上川俊美
;
戎谷崇
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戎谷崇
.
中国专利
:CN101364629A
,2009-02-11
[2]
半导体发光装置
[P].
安食秀一
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安食秀一
;
川上康之
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川上康之
;
赤木努
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赤木努
;
原田光范
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原田光范
.
中国专利
:CN101325195B
,2008-12-17
[3]
半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法
[P].
村本卫司
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村本卫司
;
布上真也
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布上真也
;
冈俊行
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冈俊行
.
中国专利
:CN102326265B
,2012-01-18
[4]
半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置
[P].
张汝志
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张汝志
.
中国专利
:CN207038550U
,2018-02-23
[5]
半导体发光装置的预封装结构及半导体发光装置
[P].
张汝志
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张汝志
.
中国专利
:CN107195756A
,2017-09-22
[6]
半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法
[P].
龟井英德
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龟井英德
.
中国专利
:CN101569024B
,2009-10-28
[7]
半导体发光器件及使用它的半导体发光装置
[P].
堀笃宽
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堀笃宽
;
龟井英德
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龟井英德
;
前田修作
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前田修作
.
中国专利
:CN101828277B
,2010-09-08
[8]
半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法
[P].
龟井英德
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龟井英德
.
中国专利
:CN101821867A
,2010-09-01
[9]
半导体发光器件
[P].
上田孝史
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上田孝史
.
中国专利
:CN1384981A
,2002-12-11
[10]
半导体发光器件及面发光装置
[P].
根井正美
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根井正美
.
中国专利
:CN1364319A
,2002-08-14
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