超低本底α电离室

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420766440.3

申请日：

2014-12-08

公开(公告)号：

CN204696075U

公开(公告)日：

2015-10-07

发明(设计)人：

姚顺和杨巧玲姚艳玲吕晓侠刁立军陈细林汪建清郭晓清孟军邢雨

申请人：

申请人地址：

102413 北京市房山区北京市275信箱65分箱

IPC主分类号：

H01J4702

IPC分类号：

G01T700

代理机构：

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-07	授权	授权

共 50 条

[1]

超低本底α电离室 [P].

姚顺和 ;

杨巧玲 ;

姚艳玲 ;

吕晓侠 ;

刁立军 ;

陈细林 ;

汪建清 ;

郭晓清 ;

孟军 ;

邢雨 .

中国专利 :CN104576285B ,2015-04-29

[2]

张孝平 ;

丁德甲 ;

乔中涛 .

中国专利 :CN218241769U ,2023-01-06

[3]

电离室系统 [P].

吴金杰 ;

葛双 ;

王佳 .

中国专利 :CN204790008U ,2015-11-18

[4]

电离室装置 [P].

王培玮 ;

李婷 ;

吴金杰 .

中国专利 :CN206114916U ,2017-04-19

[5]

多层空腔电离室 [P].

魏可新 ;

李景云 ;

侯金兵 ;

宋明哲 ;

王红玉 ;

高飞 .

中国专利 :CN103311086A ,2013-09-18

[6]

石墨圆饼电离室 [P].

王坤 ;

李涛 ;

金孙均 ;

杨小元 .

中国专利 :CN204424202U ,2015-06-24

[7]

电离室护盖 [P].

刘吉福 ;

傅世楣 ;

焦圣华 ;

闫锋 ;

高玉兵 ;

吴广生 ;

韩献礼 .

中国专利 :CN211557756U ,2020-09-22

[8]

多层空腔电离室 [P].

魏可新 ;

李景云 ;

侯金兵 ;

宋明哲 ;

王红玉 ;

高飞 .

中国专利 :CN202495420U ,2012-10-17

[9]

一种电离室 [P].

申碧凤 .

中国专利 :CN203415539U ,2014-01-29

[10]

高稳定端面电离室 [P].

王三传 ;

陈三雄 .

中国专利 :CN2684210Y ,2005-03-09

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