雪崩光电二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680070709.6

申请日：

2016-06-23

公开(公告)号：

CN108369968B

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

夏秋和弘泷本贵博內田雅代

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府堺市堺区匠町1番地

IPC主分类号：

H01L31107

IPC分类号：

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

汪飞亚;习冬梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20160623
2021-07-27	授权	授权
2018-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN100557826C ,2007-10-03

[2]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101431118B ,2009-05-13

[3]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101232057A ,2008-07-30

[4]

雪崩光电二极管 [P].

柳生荣治 ;

石村荣太郎 ;

中路雅晴 .

中国专利 :CN101180740A ,2008-05-14

[5]

雪崩光电二极管 [P].

仇正勇 .

中国专利 :CN203950825U ,2014-11-19

[6]

雪崩光电二极管 [P].

泷本贵博 ;

夏秋和弘 ;

內田雅代 .

中国专利 :CN109804472B ,2019-05-24

[7]

雪崩光电二极管 [P].

夏秋和弘 ;

泷本贵博 ;

内田雅代 .

中国专利 :CN109891605A ,2019-06-14

[8]

雪崩光电二极管 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

V·贾因 ;

R·哈兹布恩 ;

P·东莫 ;

C·E·路斯 ;

S·M·尚克 ;

R·克里希纳萨米 .

美国专利 :CN113540266B ,2025-05-27

[9]

雪崩光电二极管 [P].

M·D·莱维 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 ;

V·贾因 ;

R·哈兹布恩 ;

P·东莫 ;

C·E·路斯 ;

S·M·尚克 ;

R·克里希纳萨米 .

中国专利 :CN113540266A ,2021-10-22

[10]

雪崩光电二极管 [P].

A·兹莫 ;

D·戈兰斯基 ;

S·普雷斯 ;

G·玛钱德 .

:CN222582874U ,2025-03-07

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