高亮度半导体发光二极管芯片

被引：0

申请号：

CN202222537537.4

申请日：

2022-09-23

公开(公告)号：

CN218351495U

公开(公告)日：

2023-01-20

发明(设计)人：

郑文杰程龙高虹曾家明刘春杨胡加辉

申请人：

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L3342 H01L3346

代理机构：

南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150

代理人：

梁耀锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	授权	授权

共 50 条

[1]

高亮度发光二极管芯片 [P].

曹斌斌 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN217522029U ,2022-09-30

[2]

一种高亮度半导体发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

季辉 .

中国专利 :CN211238279U ,2020-08-11

[3]

半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN218004894U ,2022-12-09

[4]

一种高亮度半导体发光二极管芯片及其制作方法 [P].

汪延明 ;

季辉 .

中国专利 :CN111244238A ,2020-06-05

[5]

高亮度发光二极管芯片 [P].

罗信明 .

中国专利 :CN101807634B ,2010-08-18

[6]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

[7]

高亮度发光二极管芯片的制造方法 [P].

陈诚 ;

郝茂盛 ;

李士涛 .

中国专利 :CN102104099A ,2011-06-22

[8]

半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法 [P].

蔡昇完 ;

金台勋 ;

李守烈 ;

李进馥 ;

金真焕 ;

李承宰 ;

金甫耕 ;

李锺昊 .

中国专利 :CN103180975A ,2013-06-26

[9]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216528936U ,2022-05-13

[10]

提高亮度的发光二极管芯片制作方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN113328015B ,2021-08-31

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