一种高亮度半导体发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020403332.5

申请日：

2020-03-26

公开(公告)号：

CN211238279U

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

汪延明季辉

申请人：

申请人地址：

423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3322 H01L3312 H01L3300

代理机构：

长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214

代理人：

周晓艳;张勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-11	授权	授权

共 50 条

[1]

高亮度半导体发光二极管芯片 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN218351495U ,2023-01-20

[2]

一种高亮度半导体发光二极管芯片及其制作方法 [P].

汪延明 ;

季辉 .

中国专利 :CN111244238A ,2020-06-05

[3]

高亮度发光二极管芯片 [P].

曹斌斌 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN217522029U ,2022-09-30

[4]

半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN218004894U ,2022-12-09

[5]

高亮度发光二极管芯片 [P].

罗信明 .

中国专利 :CN101807634B ,2010-08-18

[6]

高亮度发光二极管芯片的制造方法 [P].

陈诚 ;

郝茂盛 ;

李士涛 .

中国专利 :CN102104099A ,2011-06-22

[7]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216528936U ,2022-05-13

[8]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

张溢 ;

李佳佳 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203589085U ,2014-05-07

[9]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

曾成 .

中国专利 :CN220963388U ,2024-05-14

[10]

高亮度发光二极管 [P].

朱源发 .

中国专利 :CN101315959A ,2008-12-03

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