一种半导体发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322665823.3

申请日：

2023-10-07

公开(公告)号：

CN220963388U

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

曾成

申请人：

深圳市瑞奇朗科技有限公司

申请人地址：

518128 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航空路1号恩海大厦8层

IPC主分类号：

H01L33/48

IPC分类号：

H01L33/62

代理机构：

深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585

代理人：

尹立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN218004894U ,2022-12-09

[2]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216528936U ,2022-05-13

[3]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

张溢 ;

李佳佳 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203589085U ,2014-05-07

[4]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

张溢 ;

李佳佳 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN103618042B ,2014-03-05

[5]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王明洋 ;

戴俊 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 ;

邱斌 .

中国专利 :CN105449060A ,2016-03-30

[6]

高亮度半导体发光二极管芯片 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN218351495U ,2023-01-20

[7]

半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片 [P].

叶志庭 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN108666400A ,2018-10-16

[8]

发光二极管芯片、发光二极管 [P].

尹灵峰 ;

吴志浩 ;

高艳龙 ;

魏柏林 ;

王江波 .

中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10

[9]

发光二极管芯片 [P].

林新强 ;

陈滨全 .

中国专利 :CN103367591A ,2013-10-23

[10]

发光二极管芯片 [P].

彭晖 ;

马欣荣 ;

闫春辉 .

中国专利 :CN201820780U ,2011-05-04

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