一种半导体发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310598862.4

申请日：

2013-11-25

公开(公告)号：

CN103618042B

公开(公告)日：

2014-03-05

发明(设计)人：

金豫浙冯亚萍张溢李佳佳李志聪孙一军王国宏

申请人：

申请人地址：

225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

H01L3314 H01L3310

代理机构：

扬州市锦江专利事务所 32106

代理人：

江平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-20	授权	授权
2014-03-05	公开	公开
2014-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581163319 IPC(主分类):H01L 33/62 专利申请号:2013105988624 申请日:20131125

共 50 条

[1]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

张溢 ;

李佳佳 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203589085U ,2014-05-07

[2]

半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN218004894U ,2022-12-09

[3]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216528936U ,2022-05-13

[4]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王明洋 ;

戴俊 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 ;

邱斌 .

中国专利 :CN105449060A ,2016-03-30

[5]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

曾成 .

中国专利 :CN220963388U ,2024-05-14

[6]

半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片 [P].

叶志庭 ;

潘锡明 .

中国专利 :CN108666400A ,2018-10-16

[7]

高亮度半导体发光二极管芯片 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN218351495U ,2023-01-20

[8]

发光二极管芯片 [P].

林新强 ;

陈滨全 .

中国专利 :CN103367591A ,2013-10-23

[9]

发光二极管芯片 [P].

彼得·布里克 ;

哈根·勒克纳 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN102203969B ,2011-09-28

[10]

半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法 [P].

蔡昇完 ;

金台勋 ;

李守烈 ;

李进馥 ;

金真焕 ;

李承宰 ;

金甫耕 ;

李锺昊 .

中国专利 :CN103180975A ,2013-06-26

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