半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710288411.9

申请日：

2017-04-27

公开(公告)号：

CN108666400A

公开(公告)日：

2018-10-16

发明(设计)人：

叶志庭潘锡明

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3346

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李昕巍;章侃铱

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/44 申请公布日:20181016
2018-10-16	公开	公开
2018-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/44 申请日:20170427

共 50 条

[1]

半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN218004894U ,2022-12-09

[2]

半导体发光二极管芯片、发光器件及其制造方法 [P].

蔡昇完 ;

金台勋 ;

李守烈 ;

李进馥 ;

金真焕 ;

李承宰 ;

金甫耕 ;

李锺昊 .

中国专利 :CN103180975A ,2013-06-26

[3]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

张溢 ;

李佳佳 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN103618042B ,2014-03-05

[4]

高亮度半导体发光二极管芯片 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN218351495U ,2023-01-20

[5]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216528936U ,2022-05-13

[6]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

闫其昂 ;

王明洋 ;

戴俊 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 ;

邱斌 .

中国专利 :CN105449060A ,2016-03-30

[7]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

张溢 ;

李佳佳 ;

李志聪 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN203589085U ,2014-05-07

[8]

一种半导体发光二极管芯片 [P].

曾成 .

中国专利 :CN220963388U ,2024-05-14

[9]

半导体发光二极管 [P].

近藤且章 .

中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25

[10]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

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