高亮度发光二极管及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210452575.8

申请日：

2012-11-12

公开(公告)号：

CN103811607A

公开(公告)日：

2014-05-21

发明(设计)人：

丁国建陈弘贾海强王晓晖宋京张荣勤罗惠英

申请人：

申请人地址：

300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3330 H01L3300

代理机构：

天津三元专利商标代理有限责任公司 12203

代理人：

高凤荣

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/06 申请公布日:20140521
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614634400 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2012104525758 申请日:20121112
2014-05-21	公开	公开

共 50 条

[1]

高亮度发光二极管及其制造方法 [P].

倪英嘉 ;

倪国烟 ;

洪明正 .

中国专利 :CN101055906A ,2007-10-17

[2]

高亮度发光二极管 [P].

洪瑞华 ;

武东星 ;

江彦志 ;

邱麒颖 .

中国专利 :CN2665935Y ,2004-12-22

[3]

高亮度发光二极管及其制作方法 [P].

詹世雄 ;

曾坚信 ;

郭政达 ;

施敏 .

中国专利 :CN1197173C ,2001-08-08

[4]

高亮度发光二极管 [P].

林惠作 ;

林景渊 .

中国专利 :CN2809881Y ,2006-08-23

[5]

高亮度发光二极管 [P].

林居男 ;

钟信吉 ;

陈裕丰 .

中国专利 :CN1553521A ,2004-12-08

[6]

高亮度发光二极管 [P].

赵叶勤 ;

郭晓维 ;

蒋增钦 ;

王东明 .

中国专利 :CN2574225Y ,2003-09-17

[7]

高亮度发光二极管 [P].

黄坤富 ;

张峻荣 ;

郭奇文 ;

陈俊荣 ;

方国龙 ;

赵志伟 .

中国专利 :CN102569572B ,2012-07-11

[8]

高亮度发光二极管 [P].

钱国珍 .

中国专利 :CN103996786A ,2014-08-20

[9]

高亮度发光二极管 [P].

陈兴 .

中国专利 :CN2300189Y ,1998-12-09

[10]

高亮度发光二极管 [P].

钱国珍 .

中国专利 :CN203932102U ,2014-11-05

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