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基于直立纳米线的弹性导体
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201880037962.0
申请日
:
2018-04-24
公开(公告)号
:
CN111132926A
公开(公告)日
:
2020-05-08
发明(设计)人
:
程文龙
乔治·P·西蒙
王彦
申请人
:
申请人地址
:
澳大利亚维多利亚州克雷顿
IPC主分类号
:
B82B300
IPC分类号
:
B82Y1500
B82Y1000
B82Y4000
H01L2940
代理机构
:
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250
代理人
:
程钢
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-05-08
公开
公开
2020-06-02
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20180424
共 50 条
[1]
基于纳米线的透明导体
[P].
乔纳森·S·阿尔登
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乔纳森·S·阿尔登
;
代海霞
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代海霞
;
迈克尔·R·科纳珀
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迈克尔·R·科纳珀
;
那朔
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那朔
;
哈什·帕克巴滋
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哈什·帕克巴滋
;
弗络瑞恩·普舍尼茨卡
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弗络瑞恩·普舍尼茨卡
;
希娜·关
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希娜·关
;
迈克尔·A·斯贝德
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迈克尔·A·斯贝德
;
艾德里安·维诺托
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艾德里安·维诺托
;
杰弗瑞·沃克
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杰弗瑞·沃克
.
中国专利
:CN102250506B
,2011-11-23
[2]
基于纳米线的透明导体
[P].
乔纳森·S·阿尔登
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乔纳森·S·阿尔登
;
代海霞
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代海霞
;
迈克尔·R·科纳珀
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迈克尔·R·科纳珀
;
那朔
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那朔
;
哈什·帕克巴滋
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哈什·帕克巴滋
;
弗络瑞恩·普舍尼茨卡
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弗络瑞恩·普舍尼茨卡
;
希娜·关
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希娜·关
;
迈克尔·A·斯贝德
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迈克尔·A·斯贝德
;
艾德里安·维诺托
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艾德里安·维诺托
;
杰弗瑞·沃克
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杰弗瑞·沃克
.
中国专利
:CN101292362A
,2008-10-22
[3]
一种基于银纳米线的弹性导体及其制备方法和应用
[P].
俞书宏
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俞书宏
;
葛进
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葛进
;
姚宏斌
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姚宏斌
.
中国专利
:CN103050192A
,2013-04-17
[4]
基于纳米线的透明导体及其应用
[P].
皮埃尔-马克·阿莱曼德
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皮埃尔-马克·阿莱曼德
;
代海霞
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代海霞
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那朔
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那朔
;
哈什·帕克巴滋
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哈什·帕克巴滋
;
弗络瑞恩·普舍尼茨卡
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弗络瑞恩·普舍尼茨卡
;
希娜·关
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希娜·关
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加莱那·塞帕
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加莱那·塞帕
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迈克尔·A·斯贝德
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迈克尔·A·斯贝德
.
中国专利
:CN101589473B
,2009-11-25
[5]
基于纳米线的透明导体及其应用
[P].
皮埃尔-马克·阿莱曼德
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皮埃尔-马克·阿莱曼德
;
代海霞
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代海霞
;
那朔
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那朔
;
哈什·帕克巴滋
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哈什·帕克巴滋
;
弗络瑞恩·普舍尼茨卡
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弗络瑞恩·普舍尼茨卡
;
希娜·关
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希娜·关
;
加莱那·塞帕
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加莱那·塞帕
;
迈克尔·A·斯贝德
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迈克尔·A·斯贝德
.
中国专利
:CN102324462A
,2012-01-18
[6]
制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法
[P].
洪瑛
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机构:
洪瑛
洪瑛
洪瑛
.
中国专利
:CN111902943B
,2024-07-09
[7]
应变半导体纳米线
[P].
张慎明
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张慎明
;
I·劳尔
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I·劳尔
;
林崇勋
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林崇勋
;
J·W·斯雷特
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J·W·斯雷特
.
中国专利
:CN104733530B
,2015-06-24
[8]
纳米线半导体器件
[P].
E·A·希岑
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E·A·希岑
;
E·P·A·M·巴克斯
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E·P·A·M·巴克斯
;
R·J·E·赫廷
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R·J·E·赫廷
;
A·R·巴尔克宁德
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A·R·巴尔克宁德
.
中国专利
:CN1977385A
,2007-06-06
[9]
半导体纳米线制造
[P].
M·B·伯格
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M·B·伯格
;
K·E·莫斯伦德
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K·E·莫斯伦德
;
H·E·里尔
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H·E·里尔
;
H·施密特
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H·施密特
.
中国专利
:CN105793956B
,2016-07-20
[10]
基于纳米线的传感器
[P].
穆尼布·沃伯
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机构:
沃伯科技公司
沃伯科技公司
穆尼布·沃伯
.
美国专利
:CN120240011A
,2025-07-01
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