用于沉积第III族氮化物半导体膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380031696.8

申请日：

2013-06-14

公开(公告)号：

CN104508795A

公开(公告)日：

2015-04-08

发明(设计)人：

洛伦佐·卡斯塔尔迪马丁·克拉策海因茨·费尔泽小罗伯特·马马扎

申请人：

申请人地址：

列支敦士登巴尔查斯市

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L2102 H01L213065

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

刘灿强;王占杰

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/20 申请公布日:20150408
2015-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101608388468 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2013800316968 申请日:20130614
2015-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

制造第III族氮化物半导体的方法和第III族氮化物半导体 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN104218131A ,2014-12-17

[2]

第III族氮化物半导体的制造方法和第III族氮化物半导体 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN103367113A ,2013-10-23

[3]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

矢羽田孝辅 ;

中条直树 ;

五所野尾浩一 ;

石黑雄也 .

中国专利 :CN102738338B ,2012-10-17

[4]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN102479900A ,2012-05-30

[5]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

中條直树 .

中国专利 :CN102694112B ,2012-09-26

[6]

制造第III族氮化物半导体的方法 [P].

奥野浩司 ;

小盐高英 ;

柴田直树 ;

天野浩 .

中国专利 :CN103985792A ,2014-08-13

[7]

第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件 [P].

藤田武彦 ;

渡边康弘 .

中国专利 :CN107004744B ,2017-08-01

[8]

用于制造第Ⅲ族氮化物半导体的方法 [P].

中田尚幸 .

中国专利 :CN103700579A ,2014-04-02

[9]

用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 ;

守山实希 .

中国专利 :CN103125028A ,2013-05-29

[10]

第III族氮化物半导体发光器件 [P].

丰田优介 ;

奥野浩司 ;

西岛和树 .

中国专利 :CN102738329A ,2012-10-17

← 1 2 3 4 5 →