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半导体器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111044516.2
申请日：
2021-09-07
公开(公告)号：
CN113964103A
公开(公告)日：
2022-01-21
发明(设计)人：
杨城鑫
孙辉
曾威
杨钢宜
申请人：
申请人地址：
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
IPC主分类号：
H01L23522
IPC分类号：
H01L23528
H01L29778
H01L21768
代理机构：
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
代理人：
落爱青
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20210907 |
| 2022-01-21 | 公开 | 公开 |