二氧化硅-碳复合多孔质体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280043355.8

申请日：

2012-09-06

公开(公告)号：

CN103764561A

公开(公告)日：

2014-04-30

发明(设计)人：

上村光浩信原一敬

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

H01M462

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204

代理人：

王达佐;安佳宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-30	公开	公开
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583112702 IPC(主分类):C01B 33/18 专利申请号:2012800433558 申请日:20120906
2016-08-17	授权	授权

共 50 条

[1]

二氧化硅多孔质体、光学用途层积体和组合物、以及二氧化硅多孔质体的制造方法 [P].

船山胜矢 ;

大泉淳一 ;

山川朋子 ;

竹内久雄 .

中国专利 :CN102351201B ,2012-02-15

[2]

二氧化硅多孔质体、光学用途层积体和组合物、以及二氧化硅多孔质体的制造方法 [P].

船山胜矢 ;

大泉淳一 ;

山川朋子 ;

竹内久雄 .

中国专利 :CN101631745B ,2010-01-20

[3]

多孔二氧化硅的制造方法 [P].

黄盈祯 ;

江姿幸 ;

唐心陆 ;

洪志斌 .

中国专利 :CN113526511A ,2021-10-22

[4]

多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P].

今井宏明 ;

绪明佑哉 ;

渡辺洋人 .

中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19

[5]

沉淀二氧化硅及其方法 [P].

K·W·加利斯 ;

F·A·辛克莱 ;

T·W·纳斯维拉 ;

M·S·达尔斯洛 ;

E·G·伦德奎斯特 .

德国专利 :CN118765261A ,2024-10-11

[6]

二氧化硅溶胶 [P].

E·圣尼 ;

F·汉森 .

中国专利 :CN105452167B ,2016-03-30

[7]

二氧化硅基溶胶 [P].

M·托卡兹 ;

H-A·巴尔申 .

中国专利 :CN102099291A ,2011-06-15

[8]

沉淀二氧化硅制造方法 [P].

E.阿兰 .

中国专利 :CN104066683A ,2014-09-24

[9]

沉淀二氧化硅制造方法 [P].

E.阿兰 ;

S.内沃 .

中国专利 :CN104080736A ,2014-10-01

[10]

多孔二氧化硅粒子及其制造方法 [P].

江上美纪 ;

宫本卓儿 ;

村口良 .

中国专利 :CN111527047A ,2020-08-11

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