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一种集成电路的老化补偿方法、集成电路
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011251577.1
申请日：
2020-11-10
公开(公告)号：
CN112466767A
公开(公告)日：
2021-03-09
发明(设计)人：
南海卿
申请人：
申请人地址：
300000 天津市滨海新区天津华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8
IPC主分类号：
H01L2166
IPC分类号：
H01L23544
G01R19165
代理机构：
北京市广友专利事务所有限责任公司 11237
代理人：
张仲波
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20201110 |
| 2021-03-09 | 公开 | 公开 |