半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011577395.3

申请日：

2020-12-28

公开(公告)号：

CN113299643A

公开(公告)日：

2021-08-24

发明(设计)人：

三塚要小野泽勇一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L29739 H01L29866 H01L218232 H01L23544

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

杨敏;金玉兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20201228
2021-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

吉田崇一 .

日本专利 :CN119213568A ,2024-12-27

[2]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

各川敦史 ;

三塚要 ;

小田优喜 ;

白川彻 .

日本专利 :CN117913137A ,2024-04-19

[3]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

储金星 .

中国专利 :CN119855225A ,2025-04-18

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山野彰生 ;

高崎爱子 ;

市川裕章 .

中国专利 :CN110100314B ,2019-08-06

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

小宫山典宏 ;

野口晴司 ;

樱井洋辅 ;

浜崎龙太郎 .

日本专利 :CN119836854A ,2025-04-15

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

立道秀平 ;

内藤达也 ;

大西泰彦 .

日本专利 :CN120937521A ,2025-11-11

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

坂田敏明 .

日本专利 :CN120240004A ,2025-07-01

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

吉川功 .

日本专利 :CN120153772A ,2025-06-13

[10]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

田尻雅之 ;

桥本尚义 ;

米元久 ;

原园丰洋 .

中国专利 :CN101996920A ,2011-03-30

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