半导体装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411978344.X

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN119855225A

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

储金星

申请人：

海信家电集团股份有限公司

申请人地址：

528300 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号

IPC主分类号：

H10D84/80

IPC分类号：

H10D62/10 H01L23/48 H10D84/01

代理机构：

北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851

代理人：

罗洋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/80申请日:20241230
2025-04-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

内藤达也 .

中国专利 :CN107086217A ,2017-08-22

[2]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

史世平 ;

陈道坤 ;

储金星 ;

杨晶杰 ;

何濠启 ;

邹苹 .

中国专利 :CN119153505A ,2024-12-17

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

史世平 ;

陈道坤 ;

储金星 ;

杨晶杰 ;

何濠启 ;

邹苹 .

中国专利 :CN119153505B ,2025-09-23

[4]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

吉田崇一 .

日本专利 :CN119213568A ,2024-12-27

[5]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

各川敦史 ;

三塚要 ;

小田优喜 ;

白川彻 .

日本专利 :CN117913137A ,2024-04-19

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山野彰生 ;

高崎爱子 ;

市川裕章 .

中国专利 :CN110100314B ,2019-08-06

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

三塚要 ;

小野泽勇一 .

中国专利 :CN113299643A ,2021-08-24

[8]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

小宫山典宏 ;

野口晴司 ;

樱井洋辅 ;

浜崎龙太郎 .

日本专利 :CN119836854A ,2025-04-15

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

立道秀平 ;

内藤达也 ;

大西泰彦 .

日本专利 :CN120937521A ,2025-11-11

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