一种硅基锗探测器及其制作工艺

被引：0

申请号：

CN202210650959.4

申请日：

2022-06-10

公开(公告)号：

CN115117187A

公开(公告)日：

2022-09-27

发明(设计)人：

崔积适肖洪地

申请人：

申请人地址：

365000 福建省三明市三元区荆东路25号

IPC主分类号：

H01L310232

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222

代理人：

林贤德

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	公开	公开
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0232 申请日:20220610

共 50 条

[1]

一种高性能硅基锗探测器及其制备方法 [P].

张轶锦 ;

曹溪源 ;

武爱民 .

中国专利 :CN112736158A ,2021-04-30

[2]

一种宽光谱硅基锗探测器及其制备方法 [P].

王凯 ;

周舟 .

中国专利 :CN121099736A ,2025-12-09

[3]

硅基锗光电探测器 [P].

周治平 ;

涂芝娟 ;

华锋 ;

王会涛 ;

张琦 .

中国专利 :CN106328751A ,2017-01-11

[4]

低暗电流硅基锗探测器的制作方法 [P].

刘恋 ;

高建威 ;

郭安然 ;

杨修伟 ;

刘鹏浩 ;

雷仁方 .

中国专利 :CN111933729B ,2020-11-13

[5]

一种3D堆栈的硅基锗探测器 [P].

王凯 ;

周舟 .

中国专利 :CN121099741A ,2025-12-09

[6]

一种硅基锗光电探测器及制作方法 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 ;

黄珊 ;

余威明 .

中国专利 :CN120676752A ,2025-09-19

[7]

一种高速硅基锗光电探测器 [P].

李玲 ;

闫亭伟 ;

张宇峰 .

中国专利 :CN120659401A ,2025-09-16

[8]

一种硅基锗光电探测器及制作方法 [P].

欧阳文森 ;

王胜林 ;

黄珊 ;

余威明 .

中国专利 :CN120676752B ,2025-11-04

[9]

核辐射探测器及其制作工艺 [P].

谭继廉 ;

靳根明 ;

田大宇 ;

宁宝俊 ;

王小兵 ;

王宏伟 ;

段利敏 ;

袁小华 ;

李松林 ;

卢子伟 ;

马连荣 ;

徐瑚珊 .

中国专利 :CN100405083C ,2006-05-17

[10]

一种探测器及制作工艺 [P].

崔积适 ;

王娟 ;

崔文静 ;

陈洪敏 .

中国专利 :CN112201714A ,2021-01-08

← 1 2 3 4 5 →