宽禁带半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420436988.1

申请日：

2014-08-04

公开(公告)号：

CN204067370U

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

星野政宏张乐年

申请人：

申请人地址：

318000 浙江省台州市开发大道东段818号3幢4层西侧

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

台州市方圆专利事务所 33107

代理人：

张智平;章以臣

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20200107 变更事项:专利权人变更前权利人:台州市一能科技有限公司变更后权利人:台州市一能科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:318000 浙江省台州市开发大道东段818号3幢4层西侧变更后权利人:浙江省台州市开发大道东段818号3幢4层西侧变更事项:共同专利权人变更前权利人:星野政宏
2014-12-31	授权	授权
2022-07-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140804 授权公告日:20141231 终止日期:20210804

共 50 条

[1]

宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN104241372B ,2014-12-24

[2]

宽禁带半导体器件 [P].

刘伟 ;

邓云 ;

唐斌 ;

薛勇 .

中国专利 :CN119170634A ,2024-12-20

[3]

宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件 [P].

石芝铭 ;

杨喻心 ;

孙晓娟 ;

黎大兵 ;

蒋科 ;

贲建伟 ;

吕顺鹏 ;

张山丽 .

中国专利 :CN120379404A ,2025-07-25

[4]

宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件 [P].

石芝铭 ;

杨喻心 ;

孙晓娟 ;

黎大兵 ;

蒋科 ;

贲建伟 ;

吕顺鹏 ;

张山丽 .

中国专利 :CN120379404B ,2025-09-09

[5]

垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法 [P].

郝跃 ;

王中林 ;

陈军峰 ;

张进城 ;

张春福 .

中国专利 :CN100403550C ,2006-02-08

[6]

一种宽禁带半导体器件结构及制备方法 [P].

郝梦龙 ;

邹子文 ;

孙一苇 .

中国专利 :CN118099112A ,2024-05-28

[7]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN206490069U ,2017-09-12

[8]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN206490068U ,2017-09-12

[9]

宽禁带半导体元胞结构及半导体器件 [P].

魏进 ;

杨俊杰 ;

常昊 .

中国专利 :CN119653812A ,2025-03-18

[10]

一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法 [P].

孙瑞泽 ;

梁永齐 ;

赵策洲 ;

蔡宇韬 .

中国专利 :CN109216171A ,2019-01-15

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