宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510859647.8

申请日：

2025-06-25

公开(公告)号：

CN120379404A

公开(公告)日：

2025-07-25

发明(设计)人：

石芝铭杨喻心孙晓娟黎大兵蒋科贲建伟吕顺鹏张山丽

申请人：

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/825 C30B29/40 C30B25/18 C30B33/02 C30B25/06 C30B25/16 C30B31/22

代理机构：

长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218

代理人：

陈陶

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-09	授权	授权
2025-07-25	公开	公开
2025-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20250625

共 50 条

[1]

宽禁带氮化物量子阱、制备方法及宽禁带半导体器件 [P].

石芝铭 ;

杨喻心 ;

孙晓娟 ;

黎大兵 ;

蒋科 ;

贲建伟 ;

吕顺鹏 ;

张山丽 .

中国专利 :CN120379404B ,2025-09-09

[2]

宽禁带半导体器件 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN204067370U ,2014-12-31

[3]

宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN104241372B ,2014-12-24

[4]

宽禁带半导体器件 [P].

刘伟 ;

邓云 ;

唐斌 ;

薛勇 .

中国专利 :CN119170634A ,2024-12-20

[5]

宽禁带半导体器件及其制备工艺 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119008688A ,2024-11-22

[6]

一种宽禁带半导体器件结构及制备方法 [P].

郝梦龙 ;

邹子文 ;

孙一苇 .

中国专利 :CN118099112A ,2024-05-28

[7]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN206490069U ,2017-09-12

[8]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN206490068U ,2017-09-12

[9]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN106847922A ,2017-06-13

[10]

垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法 [P].

郝跃 ;

王中林 ;

陈军峰 ;

张进城 ;

张春福 .

中国专利 :CN100403550C ,2006-02-08

← 1 2 3 4 5 →