一种宽禁带半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710060247.6

申请日：

2017-01-24

公开(公告)号：

CN106847922A

公开(公告)日：

2017-06-13

发明(设计)人：

张振中孙军和巍巍汪之涵颜剑

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101731775986 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2017100602476 申请日:20170124
2017-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN206490069U ,2017-09-12

[2]

宽禁带半导体器件 [P].

刘伟 ;

邓云 ;

唐斌 ;

薛勇 .

中国专利 :CN119170634A ,2024-12-20

[3]

宽禁带半导体器件 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN204067370U ,2014-12-31

[4]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN206490068U ,2017-09-12

[5]

一种宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

袁俊 ;

成志杰 ;

陈伟 ;

吴阳阳 ;

王宽 .

中国专利 :CN121126839A ,2025-12-12

[6]

一种新型宽禁带功率半导体器件 [P].

李鹏 ;

颜剑 ;

谭在超 ;

丁国华 ;

罗寅 ;

张玉明 .

中国专利 :CN209029379U ,2019-06-25

[7]

宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN104241372B ,2014-12-24

[8]

宽禁带半导体器件及其制备工艺 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119008688A ,2024-11-22

[9]

一种宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

袁俊 ;

吴阳阳 ;

成志杰 ;

陈伟 ;

王宽 .

中国专利 :CN121057273A ,2025-12-02

[10]

一种宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

袁俊 ;

陈伟 ;

吴阳阳 ;

成志杰 ;

王宽 .

中国专利 :CN121152275A ,2025-12-16

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