一种宽禁带半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511340862.3

申请日：

2025-09-18

公开(公告)号：

CN121152275A

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

袁俊陈伟吴阳阳成志杰王宽

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/66 H10D30/01

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

马小青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN104241372B ,2014-12-24

[2]

宽禁带半导体器件及其制备工艺 [P].

冯开勇 ;

王刚 ;

杨光 .

中国专利 :CN119008688A ,2024-11-22

[3]

一种宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

袁俊 ;

吴阳阳 ;

成志杰 ;

陈伟 ;

王宽 .

中国专利 :CN121057273A ,2025-12-02

[4]

宽禁带半导体器件 [P].

刘伟 ;

邓云 ;

唐斌 ;

薛勇 .

中国专利 :CN119170634A ,2024-12-20

[5]

一种宽禁带半导体器件及其制备方法 [P].

袁俊 ;

成志杰 ;

陈伟 ;

吴阳阳 ;

王宽 .

中国专利 :CN121126839A ,2025-12-12

[6]

宽禁带半导体器件 [P].

星野政宏 ;

张乐年 .

中国专利 :CN204067370U ,2014-12-31

[7]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN206490069U ,2017-09-12

[8]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN206490068U ,2017-09-12

[9]

一种宽禁带半导体器件 [P].

张振中 ;

孙军 ;

和巍巍 ;

汪之涵 ;

颜剑 .

中国专利 :CN106847922A ,2017-06-13

[10]

一种宽禁带半导体器件及制备方法 [P].

王磊 ;

唐蕴 ;

朱慧平 ;

张学文 ;

李博 .

中国专利 :CN118053901A ,2024-05-17

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