一种激射波长为852nm大功率的半导体激光器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110241940.X
申请日
2021-03-04
公开(公告)号
CN113036593B
公开(公告)日
2021-06-25
发明(设计)人
李耀斌 李明 邱平平 贾瑞雯 颜伟年 阚强
申请人
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
IPC主分类号
H01S502325
IPC分类号
H01S5022 H01S5023 H01S5024
代理机构
北京沃知思真知识产权代理有限公司 11942
代理人
周俊华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
大功率半导体激光器阵列 [P]. 
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单模大功率半导体激光器 [P]. 
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[3]
一种852nm超窄线宽外腔半导体激光器 [P]. 
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潘冠中 ;
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李鹏涛 ;
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[4]
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刘兴胜 .
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黄哲 ;
廖新胜 ;
杨林 ;
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[6]
一种大功率半导体激光器 [P]. 
李大明 ;
黄哲 ;
廖新胜 ;
杨林 ;
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[7]
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[10]
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段开椋 .
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