低电容积层变阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410039238.1

申请日：

2004-02-09

公开(公告)号：

CN1655292A

公开(公告)日：

2005-08-17

发明(设计)人：

刘世宽冯辉明

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市科学工业园区

IPC主分类号：

H01C710

IPC分类号：

代理机构：

北京天平专利商标代理有限公司

代理人：

孙刚

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-08-17	公开	公开
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低电容芯片变阻器及其制作方法 [P].

安炳俊 ;

金龍柱 .

中国专利 :CN1142559C ,2000-08-23

[2]

叠层变阻器、叠层变阻器的安装结构和变阻器组件 [P].

风间智 .

中国专利 :CN1767083A ,2006-05-03

[3]

一种低电容层积型芯片变阻器及其所使用的过电压保护层 [P].

连清宏 ;

许鸿宗 .

中国专利 :CN103077790A ,2013-05-01

[4]

积层式陶金变阻器 [P].

刘世宽 ;

冯辉明 .

中国专利 :CN1873841A ,2006-12-06

[5]

积层型片状变阻器 [P].

松冈大 ;

森合克成 ;

阿部毅彦 ;

石井浩一 .

中国专利 :CN100472673C ,2005-12-14

[6]

变阻器钝化层及其制造方法 [P].

P.拉文德拉纳坦 ;

M.贝罗里尼 .

中国专利 :CN112424887B ,2021-02-26

[7]

包括钝化层的变阻器的制造 [P].

A·霍珀 ;

J·柯利 ;

D·麦克洛克林 .

中国专利 :CN101506912A ,2009-08-12

[8]

积层式氧化锌变阻器 [P].

刘世宽 ;

冯辉明 .

中国专利 :CN1873842A ,2006-12-06

[9]

一种低熔点金属液体变阻器 [P].

郭瑞 ;

考笑梅 .

中国专利 :CN203192559U ,2013-09-11

[10]

一种低熔点金属液体变阻器 [P].

郭瑞 ;

考笑梅 .

中国专利 :CN103198911A ,2013-07-10

← 1 2 3 4 5 →